[11p-Z09-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[11p-Z09-6] 等電子トラップ援用トンネルFETの量子ドット動作におけるゲート長依存性の発現機構

〇飯塚 将太¹、浅井 栄大¹、加藤 公彦¹、服部 淳一¹、福田 浩一¹、森 貴洋¹ (1.産総研)

キーワード：量子ドット, 等電子トラップ援用トンネルFET

等電子トラップ援用トンネルFETをベースとした量子ドット素子における、ドットを介したトンネル電流特性のゲート長依存性を調べた。短いゲート長の素子では、トンネル距離がゲート長とほぼ等しくなり、電流強度はゲート長に依存することがわかった。また、長いゲート長の素子で実験的にトンネル電流が観測されない理由は、電子がトンネルできるような量子ドットの座標が狭い領域に限定されるためであることを明らかにした。