[11p-Z09-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[11p-Z09-8] Characterization of physically defined silicon quantum dot with tunnel-coupled charge sensor

〇Raisei Mizokuchi¹, Shimpei Nishiyama^1,2, Kimihiko Kato², Yongxun Liu², Takahiro Mori², Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech., 2.AIST)

Keywords:quantum dot, silicon

スピン量子ビットの集積化に適した物理形成シリコン量子ドットを用いて、電荷センサが量子ドットとトンネル結合したデバイスの作製、極低温での特性評価を行った。トンネル結合により電荷センサの感度が向上し、スピンの読み出しが容易になることが期待される。測定では量子ドットの特性の変化に対応して、電荷センサで大きなシグナルの変化が観測された。今後はこのような構造を用いて高感度な電荷センシングを行う。