[11p-Z10-1~8] 13.3 絶縁膜技術

[11p-Z10-1] Ge基板のヨウ素溶液処理による表面エッチング

〇(M2)森 悠¹、濱地 威明¹、阿保 智¹、酒井 朗¹、金島 岳¹ (1.大阪大学)

キーワード：ゲルマニウム

我々はGe(111)と良好な原子整合性を示すLa2O3に着目し，結晶性La2O3/p-Ge(111)直接接合のMISFETを報告してきた．このような直接接合は酸化により形成されたGeO2とは異なり，絶縁膜成長直前のGe表面がMIS界面となるため，洗浄や溶液処理による表面状態が電気特性に大きく影響を及ぼす．そこで我々はI2溶液処理を提案し，界面準位密度(Dit)の低減を報告してきた．しかしI2溶液ではGe表面にエッチピットが形成されることが分かり，その抑制とより効果的なI2溶液処理を検討するためにエッチピットの起因について調べた．