[11p-Z10-1~8] 13.3 絶縁膜技術

[11p-Z10-2] プラズマ窒化処理によるGeO₂膜の膜質改善の検討

〇伊藤 圭佑¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：半導体, ゲルマニウム, 窒化膜