[11p-Z12-1~17] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [11p-Z12-12] Influence of Plane Stress on the Stability of Metal Impurities in Si Crystal

〇Hiroya Iwashiro¹, Koji Sueoka², Kazuhisa Torigoe³, Toshiaki Ono³ (1.Graduate School of Engineering Okayama Pref. Univ., 2.Okayama Pref. Univ., 3.SUMCO CORPORATION)

Keywords:Stress, Metal

電子デバイスの製造工程においてSiウェーハには様々な応力が負荷され，その大きさはGPaオーダーに達している．このような応力下では金属不純物の形成エンタルピーが変化し，それに伴って熱平衡濃度も変化する．金属不純物の挙動の理解と制御はSiデバイスの信頼性に重要である．そこで，本発表では第一原理計算を用い，表面近傍の平面応力がSiウェーハ中の金属不純物の形成エンタルピーに与える影響について基礎データを得た．