[11p-Z12-1~17] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [11p-Z12-12] Si結晶中の金属不純物の安定性に与える平面応力の影響

〇岩城 浩也¹、末岡 浩治²、鳥越 和尚³、小野 敏昭³ (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工、3.株式会社 SUMCO)

キーワード：応力, 金属

電子デバイスの製造工程においてSiウェーハには様々な応力が負荷され，その大きさはGPaオーダーに達している．このような応力下では金属不純物の形成エンタルピーが変化し，それに伴って熱平衡濃度も変化する．金属不純物の挙動の理解と制御はSiデバイスの信頼性に重要である．そこで，本発表では第一原理計算を用い，表面近傍の平面応力がSiウェーハ中の金属不純物の形成エンタルピーに与える影響について基礎データを得た．