2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[11p-Z12-1~17] 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2020年9月11日(金) 12:30 〜 17:15 Z12

鳥越 和尚(SUMCO)、前田 進(GWJ)、佐々木 拓生(量研機構)、須藤 治生(GWJ)

16:30 〜 16:45

[11p-Z12-15] シリコン結晶基板の品質と点欠陥(4) 酸素析出の核形成と空孔の関係

井上 直久1 (1.大阪府大研究推進)

キーワード:シリコン結晶, 酸素析出, 空孔

CZシリコン結晶中の酸化物析出物は、二次欠陥の核としてまたゲッタリングのシンクとしてデバイスの特性と歩留まりの重要な決定要因である。その核形成機構の研究の発展と空孔の役割について考察する。均一核形成モデル、核形成速度の測定、空孔の関連した準均一核形成、OSFリングとAOPのV領域分布を経て、酸素と空孔の過飽和による析出と空洞の並行核形成が提案されている。実験的にはVOnの検出と解析が課題である。