[11p-Z12-1~17] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[11p-Z12-2] 結晶成長過程における200 mm（8インチ）FZシリコンの面内抵抗率分布の数値解析

〇宮田 賢大¹、韓 学峰²、柿本 浩一^1,2 (1.九大院工、2.九大応力研)

キーワード：FZシリコン, ドーパント, シミュレーション

本研究では，FZ法によって製造されるシリコンの結晶成長過程における面内抵抗率分布を調べるため，FZ法によるシリコン単結晶成長過程の三次元数値解析を行った．計算にあたっては，高周波電磁界（HF-EM）場，静磁場，流体の流れ，熱伝達を考慮し計算モデルを作製した．計算結果から，半径方向に対する正規化された抵抗率分布は二点の極小値が存在することや面内抵抗率分布は融液挙動に鋭敏であることが示唆された．