[11p-Z12-1~17] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [11p-Z12-4] 電子線照射Si結晶で観測されるG線, C線の異常な励起光強度依存性

〇朝原 将太¹、田島 道夫²、佐竹 雄太¹、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.再生可能エネルギー研究インスティテュート)

キーワード：フォトルミネッセンス, 照射誘起欠陥, ライフタイム制御

前回我々は, PL強度Iと励起光強度Lの関係式I ∝ Lⁿにおいて, バンド端発光のべき指数nが, 通常値のn =1～2 を越えn > 2となる特異な現象を観察し, 照射誘起欠陥再結合の飽和効果で説明できることを報告した. 今回は, その照射欠陥を特定することを目的とし, 照射結晶に特徴的なG-line, C-lineに着目した. それらの励起光強度依存性の特殊性から, 特異な現象を引き起こす主な照射欠陥は, G-line, C-line欠陥ではないことを報告する.