[11p-Z12-1~17] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [11p-Z12-5] GaN高電子移動度トランジスタの内部構造評価
パワーデバイス用結晶の評価（XXXIII）

〇(M1)加藤 圭一郎¹、中山 敬太¹、佐藤 宜夫¹、山本 秀和¹ (1.千葉工大工)

キーワード：窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ, 多機能走査型プローブ顕微鏡, パワーデバイス

現在パワーデバイス用材料として主流であるSiはその性能向上の限度が近いと言われている．そこで，パワーデバイス用結晶としての物性値でSiを上回るワイドバンドギャップ半導体を用いることで，高性能のパワーエレクトロニクス機器を製造することができる．中でも，高周波スイッチングによる周辺機器の小型化が可能なGaNを使用したGaN-HEMT(High Electron Mobility Transistor)が注目されている．今回は，GaN-HEMTの内部構造を各種の測定手法を用いて評価した結果を報告する．