[11p-Z12-1~17] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [11p-Z12-7] Formation processes of grown-in defects during Si solid phase epitaxy

〇(M1)Masashi Chaen¹, Manabu Ishimaru¹ (1.Kyushu Inst.)

Keywords:Solid phase epitaxy, Silicon, Molecular dynamics

半導体の不純物添加技術として広く用いられているイオン注入法は、ダメージの蓄積によってアモルファス層が形成されるため、熱処理による結晶性を回復するプロセス(固相エピタキシー)が必要である。高品質な再結晶層を得るため、成長時導入欠陥(grown-in欠陥)の挙動に関する知見が求められている。本研究では、Si固相エピタキシャル成長の大規模分子動力学シミュレーションを行い、grown-in欠陥の同定およびその形成過程を調べた。