[11p-Z12-1~17] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [11p-Z12-7] Si固相エピタキシー時に導入されるgrown-in欠陥の形成過程

〇(M1)茶圓 将史¹、石丸 学¹ (1.九工大)

キーワード：固相エピタキシー, シリコン, 分子動力学法

半導体の不純物添加技術として広く用いられているイオン注入法は、ダメージの蓄積によってアモルファス層が形成されるため、熱処理による結晶性を回復するプロセス(固相エピタキシー)が必要である。高品質な再結晶層を得るため、成長時導入欠陥(grown-in欠陥)の挙動に関する知見が求められている。本研究では、Si固相エピタキシャル成長の大規模分子動力学シミュレーションを行い、grown-in欠陥の同定およびその形成過程を調べた。