[11p-Z12-1~17] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [11p-Z12-9] Verification of stable vacancy clusters in Si crystal using ANN potential

〇(M1)Takuto Ushiro¹, Tatsuya Yokoi², Yusuke Noda³, Eiji Kamiyama⁴, Masato Ohbitsu¹, Hiroki Nagakura¹, Koji Sueoka⁴ (1.Graduate School of Engineering, Okayama Pref. Univ., 2.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 3.Kanazawa Gakuin Univ., 4.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:silicon, vacancy, deep lerning

CZ法によるSi単結晶は以前にも増して，無欠陥性が求められている．シリコン結晶内の微小な欠陥は，実験で検出することが難しいため，計算機による解析が有効である．第一原理計算法では，計算コストの面から不可能であった解析も，機械学習を用いて開発した原子間ポテンシャルでは，精度良く，かつ低い計算コストで解析を行うことができる．本研究では，各形態の原子空孔クラスターの安定性を算出することを目的とした．