2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.11 フォトニック構造・現象

[11p-Z18-1~10] 3.11 フォトニック構造・現象

2020年9月11日(金) 13:15 〜 16:00 Z18

浅野 卓(京大)、太田 泰友(東大)

15:00 〜 15:15

[11p-Z18-7] 深い埋め込み空孔を有する1.3 μm帯フォトニック結晶面発光レーザ

伊藤 友樹1,2、河野 直哉1,2、藤原 直樹1,2、八木 英樹1、勝山 智和1、北村 崇光1、藤井 康祐1、江川 満1、小路 元1、井上 卓也2、メーナカ デゾイサ2、石崎 賢司2、野田 進2 (1.住友電工、2.京大院工)

キーワード:フォトニック結晶レーザ

InP系材料による埋込再成長によりフォトニック結晶レーザを作製し、1.3μm帯にて室温パルス発振に成功した。フォトニック結晶(PC)形成時の活性層へのダメージ回避とPC層への強い光閉込めのために、PC上部に活性層を成長するデバイス構造とし、PC空孔の最上部の横方向成長の促進により、均一かつ深い空孔形成に成功した。その結果、電極直径=150μmのデバイスで、閾値電流=110mA(閾値電流密度=0.64 kA/cm2)で単一モード発振が得られた。