[11p-Z23-1~20] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[11p-Z23-10] Study of Fast Recovery Process of PID on Multicrystalline-Silicon-Based-PV Modules

〇Yasushi Sobajima¹, Shingo Hashimoto¹, Kengo Shimizu¹, Go Sian Hi¹, Shuichi Nonomura¹ (1.Gifu Univ.)

Keywords:multi crystalline silicon solar cell, Potential induced degradation, PID recovery

電力源として重要な長期間運用において、高電圧印加により出力が低下する電圧誘起劣化(PID)現象は憂慮すべき問題である。本発表では、PIDが生じた多結晶Si太陽電池モジュール内のp-n接合間にパルス形状の逆方向バイアスを印加する事で光電変換性能の回復を図り、パルス波形に対する回復量の傾向について研究を実施し、印加間隔の調整により、モジュール内温度を制御し効率的な回復を実現した。