[11p-Z23-1~20] 16.3 シリコン系太陽電池

[11p-Z23-20] Cat-CVD法によるTOPCon太陽電池の裏面構造の形成

〇Wen Yuli¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：触媒化学気相成長法, Cat-CVD極薄窒化Si膜, TOPCon太陽電池

TOPCon太陽電池の裏面構造への利用を目的に、極薄Cat-CVD SiN_x膜/n型Si膜のパッシベーション性能とトンネル導電性を評価した。非晶質Si (a-Si)膜を用いた試料のパッシベーション性能は、高温アニールにより悪化した。一方、微結晶Si (µc-Si)膜を用いた試料のパッシベーション性能はアニールにより改善し、十分なトンネル導電性との両立が可能であることを示した。