1:15 PM - 1:30 PM
[11p-Z23-4] Statistical analysis on crystallographic orientations in multicrystalline silicon
Keywords:multicrystalline silicon, Crystallographic orientation, CSL grain boundary
双晶起因の多結晶組織について ,逐次的な双晶形成による方位関係を示す 回転操作 に対して結晶方位情報を参照することによりその発生関係を 解析する手法の開発を進めている.結晶粒間の方位関係を統計的に解析した結果を報告する.結晶粒間の方位関係をΣ3n回転操作に帰着し,残差を統計解析した.残差の角度は結晶成長とともに大きくなり,微小な変形が成長とともに増加することを示唆する.粒間の方位関係の統計的解析から,インゴットスケールのマクロ特性が得られる可能性が示された.