[11p-Z23-1~20] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[11p-Z23-8] Effect of light irradiation on the PID of n-type front-emitter crystalline Si photovoltaic modules with SiN_x with different refractive indexes

〇Rongrong Zhao¹, Keisuke Ohdaira¹, Atsushi Masuda² (1.JAIST, 2.Niigata Univ.)

Keywords:PID, silicon nitride

SiN_xの屈折率(n)が異なるn型フロントエミッタ型結晶Si太陽電池モジュールのPIDにおける光照射の効果を調査した。光照射下と暗状態のPID試験結果を比べると、電荷蓄積に起因する第一段階の劣化が加速し、一方、空乏層へのNa侵入に由来する第二段階の劣化がわずかに遅延する傾向を確認した。また、暗状態のPID挙動を比較すると、nに対する明確な依存性が確認できない。n-FEセル表面に存在するSiO₂膜が、SiN_xの膜組成の影響を緩和していることが原因として考えられる。