[11p-Z23-1~20] 16.3 シリコン系太陽電池

[11p-Z23-8] SiN_x膜の屈折率が異なるn型フロントエミッタ型結晶Si太陽電池モジュールの電圧誘起劣化における光照射の効果

〇趙 蓉蓉¹、大平 圭介¹、増田 淳² (1.北陸先端大、2.新潟大)

キーワード：電圧誘起劣化, 窒化シリコン

SiN_xの屈折率(n)が異なるn型フロントエミッタ型結晶Si太陽電池モジュールのPIDにおける光照射の効果を調査した。光照射下と暗状態のPID試験結果を比べると、電荷蓄積に起因する第一段階の劣化が加速し、一方、空乏層へのNa侵入に由来する第二段階の劣化がわずかに遅延する傾向を確認した。また、暗状態のPID挙動を比較すると、nに対する明確な依存性が確認できない。n-FEセル表面に存在するSiO₂膜が、SiN_xの膜組成の影響を緩和していることが原因として考えられる。