[11p-Z24-1~13] 3.9 テラヘルツ全般

[11p-Z24-10] 円偏光THzパルスを用いたGaAsエピ膜の磁気光学Kerr分光

〇(D)宮川 敬太¹、永井 正也¹、芦田 昌明¹、金 昌秀²、秋山 英文² (1.阪大院基礎工、2.東大物性研)

キーワード：テラヘルツ, 磁気光学分光

近年、非接触、非破壊での簡便な薄膜伝導度の評価法として、THzパルスを用いた分光法が注目されている。我々はn型とp型を簡便に区別する新たな分光法として、円偏光を用いた磁気光学Kerr分光を提案した。この方法は偏光素子を変えずに磁場変調の成分のみを抽出することで、ホール測定と等価な情報を得ることができる。本講演では、GaAsエピ膜やp-i-n構造に対して本手法を適用し、実デバイスの電気的特性の評価法としての有効性を示す。