[11p-Z29-1~16] 17.3 Layered materials

[11p-Z29-13] Study on high performance TMD-TFET using hBN as gate insulator

〇Shuntaro Ikeda¹, Hidemitsu Ouchi¹, Kohei Sakanashi¹, Peter Krueger¹, Kenji Watanabe², Takashi Taniguchi², Jonathan Bird³, Nobuyuki Aoki¹ (1.Chiba Univ., 2.NIMS, 3.Univ. at Buffalo)

Keywords:semiconductor, 2D materials, TFET

我々は二テルル化モリブデンに対するレーザー照射によるキャリアドーピングを用いてトンネル電界効果トランジスタ(TFET)を作製してきた。本研究ではチャネル移動度の向上とサブスレッショルド・スイングの低減のためゲート絶縁膜にhBN、ゲート電極にグラファイトを用いることによって、TFETの性能向上に取り組んだ。