[11p-Z29-1~16] 17.3 層状物質

[11p-Z29-13] hBNをゲート絶縁膜としたTMD-TFETの高性能化に関する研究

〇池田 駿太郎¹、大内 秀益¹、坂梨 昂平¹、クリューガー ピーター¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、バード ジョナサン³、青木 伸之¹ (1.千葉大物質、2.物質・材料研究機構、3.バッファロー大)

キーワード：半導体, 二次元物質, トンネル電界効果トランジスタ

我々は二テルル化モリブデンに対するレーザー照射によるキャリアドーピングを用いてトンネル電界効果トランジスタ(TFET)を作製してきた。本研究ではチャネル移動度の向上とサブスレッショルド・スイングの低減のためゲート絶縁膜にhBN、ゲート電極にグラファイトを用いることによって、TFETの性能向上に取り組んだ。