The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

Presentation information

Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.3 Layered materials

[11p-Z29-1~16] 17.3 Layered materials

Fri. Sep 11, 2020 1:30 PM - 5:45 PM Z29

Takamasa Kawanago(Tokyo Tech), Daisuke Kiriya(Osaka Pref. Univ.)

3:30 PM - 3:45 PM

[11p-Z29-8] MoS2-FET Operated Under the Fluids and Drops

Yudai Tanaka1, Tsuyoshi Takaoka2, Hiroki Waizumi1, Md Iftekharul Alam1, Muhammed Shamim Al Mamun1, Tadahiro Komeda2 (1.Tohoku Univ., 2.IMRAM, Tohoku Univ.)

Keywords:Field effect transistor, layered chalcogenide

半導体である二硫化モリブデン(MoS2)は、非常に弱いファンデルワールス力で支持される層状物質であり、簡便に薄膜を得ることが可能である。薄膜を持つ原子層物質は比表面積が大きく、電子物性が高感度で表面状態に依存する。本研究では、このような性質をもつMoS2を、高感度な分子センサとして応用することが可能であると考え、検討を行う。