[8a-Z02-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8a-Z02-1] OVPE法で成長した GaN バルク単結晶の微細構造解析

〇栗谷 淳¹、藤平 哲也¹、濱地 威明¹、林 侑介¹、滝野 淳一²、隅 智亮²、今西 正幸³、森 勇介³、隅谷 和嗣⁴、今井 康彦⁴、木村 滋⁴、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.パナソニック株式会社、3.阪大院工、4.JASRI)

キーワード：OVPE

窒化ガリウム（GaN）はその優れた物性値により、電子デバイスに用いることで高速動作、高耐圧、集積化が実現できると考えられている。このような性能を効率的に引き出すにはGaN単結晶基板の利用が望ましいが従来の結晶成長法では大規模生産の観点から課題を抱えていた。近年考案されたOxide-Vapor-Phase-Epitaxy（OVPE）法は固体の副生成物が出ないので長時間成長が可能となり、GaN基板の新しい作製法として期待されている。しかしOVPE法は成長過程や転位低減メカニズムにおいて未解明の点が多い。本研究では、結晶の微細構造と結晶成長機構の関係性を明らかにするため、OVPE-GaN基板に対して多角的な構造評価を行った。