[8a-Z02-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [8a-Z02-3] Analysis for three-dimensional propagation behaviors of a and a+c types threading dislocations in HVPE-grown GaN bulk crystals

〇Takeaki Hamachi¹, Tetsuya Tohei¹, Yusuke Hayashi¹, Masayuki Imanishi², Yusuke Mori², Akira Sakai¹ (1.Grad. Sch. of Eng. Sci., Osaka Univ., 2.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, Threading dislocation, Burgers vector

本研究では、Na-flux-GaN上にハイドライド気相成長法（HVPE）によりホモエピタキシャル成長させたGaNバルク結晶において，特に，b=1a及びb=1a+1c を有する貫通転位の3次元的な傾斜伝播挙動と，それに及ぼすヒロックの影響について解析した． その結果、両者の貫通転位は明らかに異なる傾斜挙動を示すことが明らかとなり、特に、b=1aの挙動には、ヒロックの面傾斜が強く関連することが示唆された。当日は、これらの転位の傾斜特性とバーガースベクトルの関連性や、弾性論に基づく解析との比較についても議論する。