[8a-Z02-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8a-Z02-5] エアロゾルデポジションを用いたGaN薄膜の作製と評価に関する研究

〇(M2)宮本 卓哉¹、齋藤 佑樹¹、佐藤 祐喜¹、大鉢 忠¹、吉門 進三¹、竹本 菊郎²、宇野 裕行²、木村 直人²、高崎 正規² (1.同志社大院理工、2.ヤマナカヒューテック)

キーワード：GaN, エアロゾルデポジション