2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[8a-Z05-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

2020年9月8日(火) 09:00 〜 12:00 Z05

赤坂 大樹(東工大)、大越 康晴(電機大)

09:00 〜 09:15

[8a-Z05-1] sp3分率とレーザー密度をパラメータとしたQ-カーボンの作製

村岡 祐治1、芳中 大樹2、犬伏 聖子1、脇田 高徳1、横谷 尚睦1 (1.岡山大学基礎研、2.岡山大学院自然科学)

キーワード:Q-カーボン, sp3量, レーザーエネルギー密度

新しい炭素同素体Q-カーボンの作製を試みた。実験では原料炭素膜のsp3量とレーザー照射密度を調整した。sp3量は20-42%、レーザー密度は0.5-1.2 J/cm2で変化させた。発表では作製した試料のSEM像、ラマン測定、磁化率測定の結果を紹介する。