[8a-Z07-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [8a-Z07-4] 近藤格子PrO エピタキシャル薄膜の低温物性

〇清水 宙一¹、阿部 展人¹、山本 卓¹、齋藤 大地¹、神永 健一^2,3、岡 大地¹、木村 憲彰¹、福村 知昭^1,3,4,5 (1.東北大理、2.東北大工、3.東北大AIMR & CRC、4.東北大CSIS、5.東北大CSRN)

キーワード：希土類単酸化物, 近藤格子, パルスレーザ堆積法

パルスレーザー堆積法を用いてPrOエピタキシャル薄膜を合成し、近藤効果が顕著になる極低温領域において電気・磁気特性を評価した。PrOは電気抵抗率が極小となる6 K以下で近藤効果を示した。また、10 K以上では磁化と異常ホール抵抗率の挙動が一致したものの、極低温領域では異常ホール抵抗率は磁化と対照的に大きな残留成分と保磁力を示した。これは、磁気秩序の競合による磁化の再配列を示していると考えられる。