[8a-Z07-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [8a-Z07-6] 電流誘起型金属絶縁体転移物質Ca₂RuO₄薄膜が示す高い安定性を持った抵抗スイッチング動作

〇椿 啓司¹、石田 典輝¹、福地 厚¹、片瀬 貴義²、神谷 利夫²、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報、2.東工大フロ研)

キーワード：金属絶縁体転移, ルテニウム酸化物, 電流誘起相転移

電流/電場誘起型の金属絶縁体転移を示すCa₂RuO₄のエピタキシャル薄膜に対し、電流–電場測定による抵抗スイッチング特性の評価を行った。作製したCa₂RuO₄薄膜では、約80 K以下で電流/電場を印加する事で明瞭な抵抗スイッチング動作が観測され、またそのスイッチング電流とスイッチング電場は、従来知られていた温度誘起金属絶縁体転移による抵抗スイッチングと比べて、大幅に高い安定性を持つことが示唆された。