[8a-Z07-1~8] 6.3 Oxide electronics

△ [8a-Z07-8] Thickness Dependence of Electronic and Crystal Structures in VO₂ Ultrathin Films

〇Daisuke Shiga^1,2, Billy Yang¹, Naoto Hasegawa¹, Tatsuhiko Kanda¹, Ryosuke Tokunaga¹, Kohei Yoshimatsu¹, Ryu Yukawa², Miho Kitamura², Koji Horiba², Hiroshi Kumigashira^1,2 (1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.IMSS, KEK)

Keywords:strongly correlated electron system, metal-insulator transition, photoelectron spectroscopy

VO₂は室温付近で構造相転移を伴った急激な金属-絶縁体転移を示すことから、強相関デバイスとしての応用が期待されている。今回我々は、in situ放射光電子分光測定により、膜厚を制御したVO₂/TiO₂(001)薄膜の電子・結晶構造評価を行った。その結果、VO₂薄膜は極薄極限ではルチル型構造を維持したモット絶縁体であることが明らかになった。