[8a-Z07-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [8a-Z07-8] VO₂極薄膜における電子・結晶構造の膜厚依存性

〇志賀 大亮^1,2、以理 楊¹、長谷川 直人¹、神田 龍彦¹、徳永 凌祐¹、吉松 公平¹、湯川 龍²、北村 未歩²、堀場 弘司²、組頭 広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)

キーワード：強相関電子系, 金属-絶縁体転移, 光電子分光

VO₂は室温付近で構造相転移を伴った急激な金属-絶縁体転移を示すことから、強相関デバイスとしての応用が期待されている。今回我々は、in situ放射光電子分光測定により、膜厚を制御したVO₂/TiO₂(001)薄膜の電子・結晶構造評価を行った。その結果、VO₂薄膜は極薄極限ではルチル型構造を維持したモット絶縁体であることが明らかになった。