[8a-Z08-1~8] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

[8a-Z08-3] MBE 法によるCr 原子1 個を含むCdTe 自己形成ドットの作製と光学特性評価

〇森田 真衣¹、有野 雅史¹、牧田 憲治¹、黒田 眞司¹、Vivekanand Tiwari²、Herve Boukari²、Lucien Besombes² (1.筑波大数理物質、2.CNRSネール研)

キーワード：量子ドット

半導体量子ドットに磁性原子1 個を導入した系で、磁性原子の担うスピンの光による検出および制御が注目を集めている。我々は磁性原子としてCr に着目し、CdTe 自己形成ドットにCrを添加した系についての光学特性を調べている。本研究ではドットを形成するCdTeの積層方法や分子線供給比、Cr組成を変化させた試料を作製し、これらの試料に対する光学特性を調べ、Cr原子1個を含むドット試料の作製条件の探索を行った。