[8a-Z08-1~8] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

[8a-Z08-5] スピントロニクス応用に向けた高品質トポロジカルBi_1-xSb_x薄膜の作製

〇(M2)羽立 康浩¹、鈴木 健太¹、浅野 秀文¹、植田 研二¹ (1.名大院工)

キーワード：トポロジカル絶縁体

トポロジカル物質はヘリカルスピン偏極した超高移動度表面伝導性を有する為、スピントロニクスデバイス材料として注目されている。中でもBi_1-xSb_xは非常に高い移動度に加えて大きなスピンホール効果が表れる等優れた物理特性を有することから盛んに研究が行われている。Bi_1-xSb_x (BiSb)はSb組成により特性が変化し、x >~0.04でトポロジカル相転移が生じトポロジカル半金属化し、x=0.07~0.22でトポロジカル絶縁体となる。本研究ではトポロジカル絶縁体となるx=~0.1を中心に高品質BiSbトポロジカル薄膜の作製と特性評価を行ったので報告する。