[8a-Z09-1~10] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[8a-Z09-7] 多層膜構造における表面フォノンポラリトンの熱伝導コンダクタンスの向上

〇立川 冴子¹、オルドネスーミランダ ホセ²、ウー ユンフイ¹、ジャラベール ロラン^1,3、アヌフリエフ ロマン¹、ヴォルツ セバスチャン^1,3、野村 政宏¹ (1.東大生研、2.Inst. Pprime, CNRS、3.LIMMS/CNRS-IIS)

キーワード：表面フォノンポラリトン, 熱伝導, 半導体材料

SiをSiO₂で挟んだ3層構造において、SPhPによる熱伝導コンダクタンスを計算した。2枚のSiO₂層で形成されたSPhPが、吸収をもたないSi層でカップリングするため、高い熱輸送特性が得られた。SiO₂厚さが>150 nmのとき、3層構造におけるSPhPによる熱伝導コンダクタンスは、SiO₂単一薄膜のそれより大きく、> 600 nmにおいては10倍以上大きくなることがわかった。本研究により、機械的に安定で、薄膜と同等あるいはそれ以上のSPhP熱伝導コンダクタンスを維持できる構造の設計指針を得た。