[8a-Z11-1~10] 12.4 有機EL・トランジスタ

[8a-Z11-5] 光照射成膜したTPBi層を有する有機ELモデル素子内の蓄積電荷量の評価

〇田雜 友貴¹、田中 有弥^1,2,3、石井 久夫^1,2,4 (1.千葉大院融合、2.千葉大先進、3.JSTさきがけ、4.千葉大MCRC)

キーワード：有機エレクトロニクス

我々はTPBiの自発配向を利用した荷電処理を必要としないエレクトレット型の振動発電素子（VEG）を実現しており、VEGの出力向上にはTPBi薄膜の分極電荷密度(σ_pol)を高める必要がある。一方、二層素子の有機ヘテロ界面ではσ_polと等密度の正孔(σ_acc)が蓄積する。Alq₃では成膜中の光照射でσ_accの増加が見出されており、TPBiでも同様の増加が期待できる。本研究では、TPBi成膜中に光照射を行った二層素子を作製し、変位電流測定（DCM）を用いてσ_accの評価を行った。