[8a-Z13-1~9] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[8a-Z13-1] （2-カルボキシエチル）ジフェニルホスフィンを配位子とするヨウ化銅(I)錯体における発光の温度依存性

〇高澤 頼昌¹、阪田 知巳¹ (1.城西大理)

キーワード：(2-カルボキシエチル)ジフェニルホスフィン, ヨウ化銅 (I) 錯体, 発光

我々は、これまでにトリフェニルホスフィンを配位子とするハロゲン化銅 (I) 錯体の合成及び光学特性を検討し、発光性サーモクロミズムや発光性メカノクロミズム現象を明らかにした。一方、これらの錯体においては高い発光量子収率が得られておらず、ポスト OLED 材料として展開できるレベルに至っていない。そこで、高い発光量子収率が期待されている配位子としてトリフェニルホスフィンの1つのフェニル基をカルボキシエチル基に替えた(2-Carboxyethyl)diphenylphosphine (Hdppa) を検討したので、その結果について報告する。