[8a-Z17-1~10] 6.1 Ferroelectric thin films

[8a-Z17-1] Investigation of the growth mechanism of PZT films on sputtering method Ⅱ

〇Mikio Murase¹, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:ferroelectric materials, PZT, combinatorial method

圧電MEMSデバイスは、ジャイロセンサなどで実用化が始まり、最近ではマイクなどの開発が進められている。その多くにPb(Zr,Ti)O₃(PZT)薄膜が用いられ、製膜手法として主に化学溶液法もしくはスパッタ法[1]が採用されている。PZTの製膜には長い歴史があるが、特にスパッタ法には体系化された報告は少ないように思われる。そこで本研究では多くある製膜パラメータの中で特に重要と考えられる成長温度とPb供給量に着目して、PZTの結晶成長との関係について調べた。