[8a-Z17-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[8a-Z17-1] スパッタ法におけるPZT薄膜の成長機構の検討Ⅱ

〇村瀬 幹生¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大院工)

キーワード：強誘電体, PZT, コンビナトリアル法

圧電MEMSデバイスは、ジャイロセンサなどで実用化が始まり、最近ではマイクなどの開発が進められている。その多くにPb(Zr,Ti)O₃(PZT)薄膜が用いられ、製膜手法として主に化学溶液法もしくはスパッタ法[1]が採用されている。PZTの製膜には長い歴史があるが、特にスパッタ法には体系化された報告は少ないように思われる。そこで本研究では多くある製膜パラメータの中で特に重要と考えられる成長温度とPb供給量に着目して、PZTの結晶成長との関係について調べた。