[8a-Z17-1~10] 6.1 Ferroelectric thin films

[8a-Z17-2] Study on preparation method for strain-free PZT thin films

〇(M2)Tomohide Morikawa¹, Kodera Masanori¹, Ehara Yoshitaka², Shimizu Takao³, Funakubo Hiroshi¹ (1.Tokyo Tech, 2.National Defence academy, 3.NIMS)

Keywords:Ferroelectric

MPB近傍組成のPb(Zr_0.5Ti_0.5)O₃ と格子定数が近い、MgAl₂O₄やSr(Zr_0.65,Ti_0.35)O₃/SrTiO₃ (SZTO/STO)を基板として用いることで歪フリーなPZT膜を作製可能であると期待される。そこで本発表では、これらの基板を用いた場合に膜にかかる歪みや得られた膜のドメイン構造を検討する第一歩として、複雑なドメイン構造が予想されるMPB近傍組成ではなく、正方晶のPb(Zr_0.3,Ti_0.7)O₃を上記基板上に作製し、格子歪から予想されるドメインが形成されるかをまず調査した。