2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

9 応用物性 » 9.4 熱電変換

[8a-Z18-1~11] 9.4 熱電変換

2020年9月8日(火) 08:30 〜 11:30 Z18

山田 高広(東北大)、末國 晃一郎(九大)

10:30 〜 10:45

[8a-Z18-8] Mg空孔欠陥の導入とSb置換によるMg2Sn単結晶の熱電性能向上

〇(D)齋籐 亘1、林 慶1、黄 志成1、宮﨑 讓1 (1.東北大院工)

キーワード:熱電材料, Mg2Sn, 点欠陥エンジニアリング

Mg2Sn熱電材料において、格子熱伝導率(κlat)の低減手法と電気伝導率(σ)の向上手法として、それぞれMg空孔欠陥(VMg)の導入とSb置換が有効であることがわかっている。そこで、本講演では2つの手法を同時に発現させ、Mg2Sn熱電材料の性能向上を試みた。
本研究で作製したMg2Sn1-xSbx単結晶にはVMgが存在することがわかった。x = 0.01 試料において、最も高い zT を示した。 詳細を当日発表する。