[8a-Z28-1~5] 多様な安定相のエンジニアリングの新展開 ~環境・エネルギーデバイスと材料の未来～

[8a-Z28-2] ワイドギャップ半導体Ga₂O₃の準安定相の制御と応用

〇大島 祐一¹ (1.NIMS)

キーワード：Ga2O3, 準安定, HVPE

準安定Ga₂O₃はE_g ~ 4.9 - 5.3 eVのウルトラワイドバンドギャップ半導体であり、次世代のパワーデバイスやソーラーブラインドセンサ等への応用が期待されている。準安定Ga₂O₃のデバイス応用のためには、相制御された薄膜のエピ成長技術を確立する必要がある。本講演では、我々が取り組んでいるHVPEを中心に、準安定Ga₂O₃の相制御の現状やデバイス応用に向けた高品質化の取り組みを紹介する。