[8p-Z01-1~7] 材料・デバイスを繋ぐ極限環境ナノ界面科学

[8p-Z01-2] オペランドX線顕微分光によるグラフェントランジスタの界面電荷分析

〇永村 直佳^1,2、吹留 博一³、長汐 晃輔⁴、尾嶋 正治⁴ (1.物材機構、2.JSTさきがけ、3.東北大、4.東大)

キーワード：グラフェン, 光電子分光, イメージング

原子層物質の代表格であるグラフェンは、その特異な電子状態からデバイス応用研究が進んでいるが、二次元材料であるが故、周囲の環境つまり表界面の影響を顕著に受けて物性が大きく変調する。そこで本研究では、グラフェンをチャネルとする電界効果トランジスタ(FET)構造について、グラフェン/基板SiO₂界面およびグラフェン/金属電極界面の電子状態とデバイス輸送特性の関係を、放射光軟X線オペランド顕微分光観測により評価した。