[8p-Z02-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～実験と理論の協奏的アプローチ：物性解明と制御～

[8p-Z02-1] STEM/3DAP/CLによるMgイオン注入GaNのナノ解析

〇大久保 忠勝¹、Ashutosh Kumar¹、埋橋 淳¹、Wei Yi¹、Jun Chen¹、関口 隆史¹、田中 亮²、高島 信也²、江戸 雅晴²、宝野 和博¹ (1.物材機構、2.富士電機)

キーワード：GaN, STEM, アトムプローブ

p型GaN半導体形成に向け、注入したMgの濃度や熱処理条件によってGaNの内部でMgの分布や電気的なふるまいがどのように変化するかを理解するため、走査型透過電子顕微鏡（STEM）と3次元アトムプローブ(3DAP）、カソードルミネッセンス(CL)を用いて、Mg注入により形成された欠陥、及び、Mg偏析の挙動について解析を行ったのでその結果を報告する。