[8p-Z02-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～実験と理論の協奏的アプローチ：物性解明と制御～

[8p-Z02-2] p型からn型へ変えるGaN中のらせん転位とMgの複合体: 第一原理計算と3次元アトムプローブ解析によるアプローチ

〇原嶋 庸介¹、中野 崇志²、長川 健太¹、白石 賢二^1,2、押山 淳¹、寒川 義裕^3,1、宇佐美 茂佳²、間山 憲仁⁴、戸田 一也⁴、田中 敦之¹、本田 善央^1,2、天野 浩^1,2 (1.名大未来研、2.名大院工、3.九大応力研、4.東芝ナノアナリシス)

キーワード：半導体, 転位, 第一原理計算

GaNパワーデバイスの実用化に向けてリーク電流の発生機構解明が求められる。本研究ではGaNのらせん転位とMgの複合体の電子状態を第一原理計算を用いて解析し、GaN p-nダイオード中のリークスポットの微細組織を3次元アトムプローブを用いて解析した。講演では、らせん転位とMgが複合体を作ることで電子準位が伝導帯に近付き、ドナーのように振る舞うことで、リークの原因になる可能性を議論する。