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[8p-Z02-2] p型からn型へ変えるGaN中のらせん転位とMgの複合体: 第一原理計算と3次元アトムプローブ解析によるアプローチ
キーワード:半導体, 転位, 第一原理計算
GaNパワーデバイスの実用化に向けてリーク電流の発生機構解明が求められる。本研究ではGaNのらせん転位とMgの複合体の電子状態を第一原理計算を用いて解析し、GaN p-nダイオード中のリークスポットの微細組織を3次元アトムプローブを用いて解析した。講演では、らせん転位とMgが複合体を作ることで電子準位が伝導帯に近付き、ドナーのように振る舞うことで、リークの原因になる可能性を議論する。