[8p-Z02-1~8] Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity of Nitride Semiconductors -Frontiers in defect physics: Concerted approach of characterization and theory-

[8p-Z02-4] First-principles Estimation of Breakdown Electric Field of defected GaN

〇Hui Zhang^1,2, Daisuke Kobayashi², Tomoyuki Yamamoto¹, Kazuyuki Hirose^1,2 (1.Waseda Univ., 2.ISAS/JAXA)

Keywords:breakdown electric field, GaN, defect

GaNパワーデバイスの性能に影響を与える結晶欠陥として、不純物酸素及び貫通転位がある。そしてGaN中の不純物酸素は、貫通転位の一種・らせん転位に沿って析出する。
欠陥が性能に与える影響を理解するには、貫通転位と酸素両方の影響を考慮する必要がある。そこで本研究では絶縁破壊電界を第一原理計算を用いて予測することで、この欠陥構造が性能に与える影響を定量的に評価した。