[8p-Z02-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～実験と理論の協奏的アプローチ：物性解明と制御～

[8p-Z02-4] 第一原理計算を用いた欠陥のあるGaNの絶縁破壊電界の予測

〇張 惠^1,2、小林 大輔²、山本 知之¹、廣瀬 和之^1,2 (1.早大理工、2.宇宙研)

キーワード：絶縁破壊電界, 窒化ガリウム, 欠陥

GaNパワーデバイスの性能に影響を与える結晶欠陥として、不純物酸素及び貫通転位がある。そしてGaN中の不純物酸素は、貫通転位の一種・らせん転位に沿って析出する。
欠陥が性能に与える影響を理解するには、貫通転位と酸素両方の影響を考慮する必要がある。そこで本研究では絶縁破壊電界を第一原理計算を用いて予測することで、この欠陥構造が性能に与える影響を定量的に評価した。