[8p-Z05-1~20] 6.2 Carbon-based thin films

△ [8p-Z05-2] Carrier Transport Mechanism of Diamond p⁺-n Junction at Low Temperature by Using Diamond Schottky-pn Diodes

〇(M2)Ayumu Karasawa¹, Toshiharu Makino^1,2, Aboulaye Traore¹, Hiromitsu Kato², Masahiko Ogura², Yukako Kato², Daisuke Takeuchi², Satoshi Yamasaki^1,2,3, Takeaki Sakurai¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.AIST, 3.Kanazawa Univ.)

Keywords:diamond, power device, diode

ダイヤモンド特有の伝導であるホッピング伝導を用いたダイヤモンドSchottky-pnダイオードの電気特性について調べることにより、低温でのp⁺-n接合における伝導機構を研究した。