[8p-Z06-1~9] 第3世代異種材料接合と膜成長自在制御：界面ナノ・キベルネテス（舵手）

[8p-Z06-1] ワイドギャップ半導体異種接合とデバイス応用

〇小出 康夫¹、井村 将隆¹、劉 江偉¹、廖 梅勇¹ (1.物材機構)

キーワード：ダイヤモンド, 異種接合, III族窒化物

本講演では、SiCおよびGaNに代わる次々世代パワー半導体材料として期待されるダイヤモンド半導体を活かすための方策として、我々が進めてきている異種半導体ヘテロ接合とデバイス応用に絞って報告する。具体的には有機金属化合物気相成長法やスパッタ法を用いて成長させたAlN／ダイヤモンド異種接合トランジスタを中心に、近年のBN／ダイヤモンド異種接合についても言及する。