[8p-Z06-1~9] The Third-generation dissimilar materials bonding and its application to the film growth control: Interface nano-kubernetes

[8p-Z06-7] In situ structural analysis of nitride growth surface using synchrotron X-ray scattering

〇Takuo Sasaki¹, Masamitu Takahasi¹ (1.QST)

Keywords:synchrotron radiation, nitride semiconductors, in situ measurements

私たちは窒化ガリウム（GaN）成長表面がどのような構造をしているのか、その実際の描像を原子レベルで捉えることで、窒化物薄膜成長の基礎学理の構築を目指している。本講演では、放射光施設SPring-8において表面に敏感な散乱として知られるCrystal Truncation Rod（CTR）散乱を反射高速電子線回折（RHEED）と同時にその場測定するシステムを構築し、液体GaがGaN表面上で秩序構造を形成していく様子をダイナミックに観測した結果を報告する。