[8p-Z06-1~9] 第3世代異種材料接合と膜成長自在制御：界面ナノ・キベルネテス（舵手）

[8p-Z06-7] 放射光X線散乱による窒化物薄膜成長表面のその場構造解析

〇佐々木 拓生¹、高橋 正光¹ (1.量研)

キーワード：放射光, 窒化物半導体, その場測定

私たちは窒化ガリウム（GaN）成長表面がどのような構造をしているのか、その実際の描像を原子レベルで捉えることで、窒化物薄膜成長の基礎学理の構築を目指している。本講演では、放射光施設SPring-8において表面に敏感な散乱として知られるCrystal Truncation Rod（CTR）散乱を反射高速電子線回折（RHEED）と同時にその場測定するシステムを構築し、液体GaがGaN表面上で秩序構造を形成していく様子をダイナミックに観測した結果を報告する。